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STG015M6KN

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STG015M6KN
    STG015M6KN

    STG015M6KN

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TE Connectivity Aerospace

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 百分百原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
STG015M6KN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 集管和線殼 STG015M6KN THRU-HOLE
  • RoHS
  • 否
  • 產(chǎn)品種類
  • 1.0MM Rectangular Connectors
  • 產(chǎn)品類型
  • Headers - Pin Strip
  • 系列
  • DF50
  • 觸點(diǎn)類型
  • Pin (Male)
  • 節(jié)距
  • 1 mm
  • 位置/觸點(diǎn)數(shù)量
  • 16
  • 排數(shù)
  • 1
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 安裝角
  • Right
  • 端接類型
  • Solder
  • 外殼材料
  • Liquid Crystal Polymer (LCP)
  • 觸點(diǎn)材料
  • Brass
  • 觸點(diǎn)電鍍
  • Gold
  • 制造商
  • Hirose Connector
STG015M6KN 技術(shù)參數(shù)
  • STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STG025PC2DT036N STG025PC3DC012N STG025SC2DNC70N STG025SC2DT012HN STG025T2HN STG025T84HN STG03711378PCN STG03711378SCN STG037B5N STG037L2AQ STG037L2HN STG037M5CN STG037M6HN STG037PC2DC006N STG037PC2DNC70N STG037SC2DC006N STG037SC2DC036N STG037SC2DNC70N
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免責(zé)聲明：以上所展示的STG015M6KN信息由會(huì)員自行提供，STG015M6KN內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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