STG051B5N

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STG051B5N
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
TE Connectivity Aerospace
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
百分百原裝正品，假一罰十

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： STG051L2AQ STG051L5HN STG051M6HN STG051T2 STG051T2AQ STG065L2HN STG065L2KN STG065M6SN STG065PC2DC036

STG051B5N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STG051B5N 技術(shù)參數(shù)

STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STG065PC2DC036N STG065PC2DX036N STG065SC2DC036 STG065T2HN STG3155DTR STG3157CTR STG3159DTR STG3220QTR STG3384DTR STG3482QTR STG3680QTR STG3682QTR STG3684ADTR STG3684AQTR STG3684AUTR STG3684QTR STG3689DTR STG3690QTR