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參數資料
| 型號： | RX1214B130Y |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | RX1214B130Y |
1997 Feb 14
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
RX1214B80W; RX1214B130Y
Fig.6 Input impedance as a function of frequency, associated with optimum load impedance.
V
CC
= 50 V; Z
O
= 10
; P
OUT
= 130 W.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+
j
–
j
MGA255
1.4 GHz
1.2 GHz
1.3
Zi
0.5
1
0.2
10
5
2
Fig.7 Load impedance as a function of frequency, associated with optimum input impedance.
V
CC
= 50 V; Z
O
= 10
; P
OUT
= 130 W.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MGA254
ZL
1.2 GHz
0.5
1
0.2
10
5
2
1.4 GHz
1.3
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