- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD38F1010C0ZBL0 (INTEL CORP) CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD38F1010C0ZBL0 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/70頁(yè) |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD38F1010C0ZBL0 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)當(dāng)前第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
25
5.2
OperatingConditions
5.3
Capacitance
T
CASE
=+25°C,f=1MHz
Table10. TemperatureandVoltageOperatingConditions
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Units
T
CASE
OperatingTemperature
F-V
/F-V
CCQ
/S-V
CC
Supply
Voltage
SupplyVoltage
–25
+85
°C
V
CC
/V
CCQ
1
2.7
3.3
Volts
V
PP1
V
PP2
Cycling
NOTES:
1. F-V
CC
/F-V
CCQ
mustsharethesamesupply.F-V
CC
/S-V
CC
mustsharethesamesupplywhennotindata
retention.
2. ApplyingF-V
PP =
11.4 V–12.6 Vduringaprogram/erasecanonlybedoneforamaximumof1000cycles
onthemainblocksand2500cyclesontheparameterblocks.F-V
PP
maybeconnectedto12 Vforatotal
of80hoursmaximum.See
Section4.2.1
fordetails.
1
1.65
11.4
100,000
3.3
12.6
Volts
Volts
Cycles
1,2
2
BlockEraseCycling
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
InputCapacitance
1
16
18
pF
V
IN
= 0 V
C
OUT
OutputCapacitance
1
20
22
pF
V
OUT
= 0 V
NOTE:
Sampled,not100%tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1604C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD38F1010C0ZTL0 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010W0YBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0YDQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0YTQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0ZBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。