- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD28F3204W30B70 (INTEL CORP) 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | RD28F3204W30B70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 7/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F3204W30B70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
1
1.0
Product Introduction
1.1
Document Purpose
This document contains information pertaining to the 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with
3 Volt I/O and SRAM. Section 1.0 provides a product introduction. Section 2.0 provides a product
description. Section 3.0 describes general device operations. Sections 4.0 through 9.0 describe the
flash functionality. Section 10 describes device power and reset considerations. Section 11.0
describes the device electrical specifications. Section 12.0 describes the flash AC characteristics.
Section 13.0 describes the SRAM AC characteristics. Section 14.0 describes ordering information.
1.2
Nomenclature
Block:
a group of flash bits that share common erase circuitry and erase simultaneously.
Partition:
Partition
is a group of blocks that share erase and program circuitry and a common
status register. If one block is erasing or one word is programming, only the status register,
rather than array data, is available when any address within the partition is read.
Main Block:
a flash block of 32-Kwords.
Parameter Block:
a flash block of 4-Kwords.
Main Partition:
a partition that only contains main blocks.
Parameter Partition:
a partition that contains both main and parameter blocks.
Top/Bottom Parameter Device:
parameter blocks are located at the top/bottom of the flash
memory map. A top/bottom parameter partition contains 15 blocks; 7 main blocks and 8
parameter blocks.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F3204W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F3204W30B85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3208C3B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。