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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F1604C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/70頁(yè) |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD28F1604C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
11
2.0
PrinciplesofOperation
TheflashmemoryutilizesaCUIandautomatedalgorithmstosimplifyprogramanderase
operations.TheWSMautomatesprogramanderaseoperationsbyhandlingdataandaddress
latches,WE#,andsystemstatusrequests.
.
2.1
BusOperation
AllbuscyclestoorfromtheStacked-CSPconformtostandardmicrocontrollerbuscycles.Four
controlsignalsdictatethedataflowinandoutoftheflashcomponent:F-CE#,F-OE#,F-WE#and
F-RP#.FourseparatecontrolsignalshandlethedataflowinandoutoftheSRAMcomponent:
S-CS1#,S-CS2,S-OE#,andS-WE#.Thesebusoperationsaresummarizedin
Table2
and
Table3
.
2.1.1
Read
Theflashmemoryhasfourreadmodes:readarray,readidentifier,readstatusandCFIquery.These
flashmemoryreadmodesarenotdependentontheF-V
PP
voltage.Uponinitialdevicepower
-
upor
afterexitfromreset,theflashdeviceautomaticallydefaultstoreadarraymode.F-CE#andF-OE#
mustbeassertedtoobtaindatafromtheflashcomponent.
TheSRAMhasonereadmodeavailable.S-CS1#,S-CS2,andS-OE#mustbeassertedtoobtain
datafromtheSRAMdevice.See
Table 3,“3VoltIntelAdvanced+BootBlockFlashMemory
Stacked-CSPBusOperations”onpage 12
forasummaryofoperations.
Figure2. 3VoltIntel
Advanced+BootBlockStackedChipScalePackageBlockDiagram
F-VCC
F-OE#
F-CE#
F-WP#
A[Max:0]
2-,4-or8-Mbit
SRAM
28F160C3
or
28F320C3
Flash
S-VCC
S-CS1
S-CS2
S-OE#
F-VCCQ
S-WE#
S-UB#
S-LB#
F-VPP
F-WE#
F-VSS
S-VSS
D[15:0]
F-RP#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| RD28F1604C3TD70SB93 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| RD28F3204C3B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3204C3T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3204W30B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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