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參數(shù)資料
| 型號： | RD100FM |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | RD100FM |
MITSUBISHI RF POWER MOS FET
RD100HHF1
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W
RD100HHF1
MITSUBISHI ELECTRIC
REV.3 8 APRIL. 2004
3/7
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pin-Po CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
Pin(dBm)
P
I
0
20
40
60
80
100
η
d
Ta=+25°C
f=30MHz
Vdd=12.5V
Idq=1A
Po
η
ｄ
Ｉｄｄ
Gp
Pin-Po CHARACTERISTICS
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
Pin(W)
6
8
10
P
20
30
40
50
60
70
80
η
d
Po
η
d
Idd
Ta=25°C
f=30MHz
Vdd=12.5V
Idq=1A
Vdd-Po CHARACTERISTICS
0
20
40
60
80
100
120
140
4
6
8
Vdd(V)
10
12
14
P
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
Po
Idd
Ta=25°C
f=30MHz
Pin=7W
Idq=1A
Zg=ZI=50 ohm
Vgs-Ids CHARACTERISTICS 2
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
Vgs(V)
4
5
6
7
I
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
-25°C
+75°C
+25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F3204W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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| RD28F3204W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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