型號: | QSB363C.GR |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 光敏三極管 |
英文描述: | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大?。?/td> | 471K |
代理商: | QSB363C.GR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
QSD723_0163 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
QSE123 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
QSE213C | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
QSE214C | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
QSFPO-013.0-01 | INTERCONNECTION DEVICE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
QSB363CYR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
QSB363CZR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
QSB363GR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
QSB363YR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
QSB363ZR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |