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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | QSB363C.GR |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 471K |
| 代理商： | QSB363C.GR |
3
www.fairchildsemi.com
QSB363C Rev. 1.0.2
QSB363C
Subminiature
Plastic
Silicon
Infrared
Phototransistor
Typical Performance Curves
Collector
Dark
Current
I
CEO
(A)
Ambient Temperature (
°C)
10-10
10-9
10-8
10-7
10-6
5
2
5
2
5
2
5
2
0
25
50
75
100
Fig. 5 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
100
80
60
40
20
0
-25
025
50
75 85 100
Ambient Temperature TA (C)
Wavelength
λ (nm)
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Collector
P
o
w
er
Dissipation
Pd
(mW)
Fig. 3 Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
Relativ
e
Collector
Current
(%)
Ambient Temperature TA (C)
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
60
70
120
140
160
VCE = 5 V
Ee = 1 mW/cm
2
14
12
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector Emitter Voltage VCE (V)
Fig. 6 Collector Current vs.
Collector Emitter Voltage
Fig. 4 Collector Current vs.
Irradiance
Collector
Current
I
C
(mA)
Irradiance Ee (mW/cm2)
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
VCE = 5 V
TA = 25C
Fig. 2 Spectral Sensitivity
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Relative
Spectral
Sensitivity
100
300
500
700
900
1100
1300
V
Ee=1.50mW/cm2
Ee=1.25mW/cm2
Ee=1.0mW/cm2
Ee=0.75mW/cm2
Ee=0.5mW/cm2
CE = 20 V
TA = 25C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD723_0163 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| QSE123 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| QSE213C | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| QSE214C | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| QSFPO-013.0-01 | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSB363CYR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363CZR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363GR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363YR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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