參數(shù)資料
型號： PTB32005X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistors
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： PTB32005X
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
PTB32001X; PTB32003X;
PTB32005X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Up to 0.3 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
total power dissipation
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
storage temperature range
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
open base
R
BE
= 0
open collector
40
15
40
3.0
V
V
V
V
0.25
0.5
0.75
A
A
A
P
tot
T
mb
≤
75
°
C; f > 1 MHz
65
4.2
7.6
8.7
+200
200
235
W
W
W
°
C
°
C
°
C
T
stg
T
j
T
sld
t
≤
10 s; note 1
Fig.2
Power derating curve; PTB32001X.
f > 1 MHz.
handbook, halfpage
50
4
2
0
0
200
MLC091
50
100
150
Ptot
(W)
Tmb (
o
C)
Fig.3
Power derating curve; PTB32003X.
f > 1 MHz.
handbook, halfpage
50
200
0
MLC092
5
0
50
100
150
Ptot
(W)
Tmb (
o
C)
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PTC36SZAR-M SQUARE POST HEADER
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