參數(shù)資料
型號： PSD835F1V-12M
廠商： 意法半導體
英文描述： Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
中文描述： 在8片位微控制器可配置存儲系統(tǒng)
文件頁數(shù)： 87/110頁
文件大?。?/td> 570K
代理商： PSD835F1V-12M
PSD835G2
PSD8XX Family
77
NOTE: 1. Reset input has hysteresis. VIL1 is valid at or below .2VCC –.1. VIH1 is valid at or above .8VCC.
2. CSI deselected or internal Power Down mode is active.
3. PLD is in non-turbo mode and none of the inputs are switching
4. Refer to Figure 32 for PLD current calculation.
5. IO = 0 mA
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCC
Supply Voltage
All Speeds
4.5
5
5.5
V
VIH
High Level Input Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
2
VCC +.5
V
VIL
Low Level Input Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
–.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
.8 VCC
VCC +.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–.5
.2 VCC –.1
V
VHYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
VLKO
VCC Min for Flash Erase and Program
2.5
4.2
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 20 A, VCC = 4.5 V
0.01
0.1
V
IOL = 8 mA, VCC = 4.5 V
0.25
0.45
V
VOH
Output High Voltage Except VSTBY On
IOH = –20 A, VCC = 4.5 V
4.4
4.49
V
IOH = –2 mA, VCC = 4.5 V
2.4
3.9
V
VOH
1
Output High Voltage VSTBY On
IOH
1
= –1 A
VSBY – 0.8
V
VSBY
SRAM Standby Voltage
2.0
VCC
V
ISBY
SRAM Standby Current (VSTBY Pin)
VCC = 0 V
0.5
1
A
IIDLE
Idle Current (VSTBY Pin)
VCC > VSBY
–0.1
0.1
A
VDF
SRAM Data Retention Voltage
Only on VSTBY
2V
ISB
Standby Supply Current for Power
CSI > VCC –0.3 V
100
200
A
Down Mode
(Notes 2, 3 and 5)
ILI
Input Leakage Current
VSS < VIN < VCC
–1
±.1
1
A
ILO
Output Leakage Current
0.45 < VIN < VCC
–10
±5
10
A
IO
Output Current
Refer to IOL and IOH in
the VOL and VOH row
PLD_TURBO = OFF,
0mA
f = 0 MHz (Note 3)
PLD Only
PLD_TURBO = ON,
f = 0 MHz
400
700
A/PT
ICC (DC)
Operating Supply
During Flash Write/Erase
(Note 5)
Current
Flash
Only
15
30
mA
Read Only, f = 0 MHz
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
mA
PLD AC Base
Fig. 32
ICC (AC)
(Note 4)
(Note 5)
FLASH AC Adder
2.5
3.5
mA/MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/MHz
PSD835G2 DC Characteristics (5 V ± 10% Versions)
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PDF描述
PSD835F2V-12B81I Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
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PSD913F1V-12J Flash In-System Programmable ISP Peripherals For 8-bit MCUs
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參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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