參數資料
型號： PMWD15UN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET
中文描述： 11600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數： 1/12頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： PMWD15UN
1.
Product profile
1.1 General description
Dual common drain N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a
plastic package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
PMWD15UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Rev. 04 — 5 April 2005
Product data sheet
I
Surface mounting package
I
Very low threshold voltage
I
Low profile
I
Fast switching
I
Portable appliances
I
Battery management
I
PCMCIA cards
I
Load switching
I
V
DS
≤
20 V
I
P
tot
≤
4.2 W
I
I
D
≤
11.6 A
I
R
DSon
≤
18.5 m
Table 1:
Pin
1, 8
2, 3
4
5
6, 7
Pinning
Description
drain (D)
source1 (S1)
gate1 (G1)
gate2 (G2)
source2 (S2)
Simplified outline
Symbol
SOT530-1 (TSSOP8)
1
4
8
5
mbl600
D
D
G1
S1
G2
S2
相關PDF資料
PDF描述
PMWD18UN CAT6 SOL PC GRE PLE 15FT PLENUM SOLID PATCH CORD
PMWD20XN Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
PN2369 NPN switching transistors
PN2369A NPN switching transistors
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相關代理商/技術參數
參數描述
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PMWD16UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
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PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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