參數(shù)資料
型號： PMWD18UN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： CAT6 SOL PC GRE PLE 15FT PLENUM SOLID PATCH CORD
中文描述： 10600 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： PMWD18UN
PMWD18UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Rev. 02 — 23 February 2004
Product data
M3D647
1.
Product profile
1.1 Description
Dual common drain N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic
package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Surface mounted package
I
Very low threshold
I
Low profile
I
Fast switching.
I
Portable appliances
I
Battery management
I
PCMCIA cards
I
Load switching.
I
V
DS
≤
30 V
I
P
tot
≤
2.3 W
I
I
D
≤
7.8 A
I
R
DSon
≤
21.5 m
.
Table 1:
Pin
1,8
2,3
4
5
6,7
Pinning - SOT530-1 (TSSOP8), simplified outline and symbol
Description
drain (d)
source1 (s1)
gate1 (g1)
gate2 (g2)
source2 (s2)
Simplified outline
Symbol
SOT530-1 (TSSOP8)
MBK885
Top view
1
4
8
5
mbl600
d
d
g1
s1
g2
s2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD20XN Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
PN2369 NPN switching transistors
PN2369A NPN switching transistors
PN2483 LOW LEVEL, LOW NOISE NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
PN2905 PNP SILICON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMWD19UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD19UN /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET PMWD19UN/TSSOP8/REEL13DP// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD19UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD20XN 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
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