參數(shù)資料
型號(hào)： PMMT491
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN BISS transistor
中文描述： NPN型BISS晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 42K
代理商： PMMT491
1999 Aug 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN BISS transistor
PMMT491A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 5 V; note 1
I
C
= 1 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 1 A
100
100
100
nA
nA
nA
300
300
200
900
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage note 1
I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; note 1
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz 150
200
300
500
1.2
1.1
10
mV
mV
mV
V
V
pF
MHz
V
BEsat
V
BE
C
c
f
T
base-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
transition frequency
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