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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB23NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | PHB23NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 23A
Tj = 25 C
VDD = 20 V
VDD = 80 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP24N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP26N10E | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB23NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB24 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB24N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB24N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 24A I(D) | SOT-404 |
| PHB24N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
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