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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PH7030L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-4 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | PH7030L |
9397 750 14206
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 7 March 2005
3 of 12
Philips Semiconductors
PH7030L
N-channel TrenchMOS logic level FET
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
Fig 3.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
P
der
(%)
(
°
C)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
I
der
T
mb
(
°
C)
P
der
P
tot 25 C
)
------------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
--------------------
100
%
×
=
003aaa385
10
-1
1
10
10
2
10
3
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB100N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB101NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHB108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PH7030L,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH7030L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK |
| PH7110-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Simple function, 50 to 600W DC-DC converters |
| PH713 | 制造商:YOKAG 功能描述: |
| PH-713-52 | 制造商:RAYTHN 功能描述: |
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