參數(shù)資料
型號： PH6325L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 78.7 A, 25 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大小： 138K
代理商： PH6325L
Philips Semiconductors
PH6325L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 28 April 2004
7 of 13
9397 750 12307
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
I
D
= 25 A; V
DS
= 4.5 V, 12 V and 19 V
Fig 11. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
Fig 12. Gate charge waveform definitions.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
V
GS
(V)
max
typ
min
003aaa566
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
VDS = 4.5 V
19 V
12 V
003aaa508
VGS
VGS(th)
Qgs1
Qgs2
Qgd
VDS
Qg(tot)
ID
Qgs
Vplat
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH7030L N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB100N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
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PHB108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHD108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 25V 78.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH6341-06-0.187-00 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
PH6342-08-0.187-00 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
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PH640480T-003-I03Q 制造商:Powertip Technology Corporation 功能描述:18 bit RGB,Size:5.7inch w/TP
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