參數(shù)資料
型號(hào)： PH3855L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 24 A, 55 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 83K
代理商： PH3855L
9397 750 13925
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 26 January 2005
7 of 12
Philips Semiconductors
PH3855L
N-channel TrenchMOS logic level FET
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
Fig 9.
I
D
= 15 A; V
DS
= 14 V and 44 V
Fig 11. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
V
GS
(V)
max
typ
min
03ar91
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 15 A
T
j
= 25
°
C
V
DS
= 44 V
14 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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