參數(shù)資料
型號: PD57002
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述: 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
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代理商: PD57002
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PD57002 - PD57002S
TYPICAL PERFORMANCE
Capacitances vs.Drain Voltage
Drain Current vs Gate-Source Voltage
Gate-Source Voltage vs Case Temperature
0
5
10
15
20
25
30
Vdd (V)
0.1
1
10
100
C (pF)
Coss
Ciss
Crss
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Vgs (V)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
Id (A)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Tc (°C)
0.9
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
Vgs (Normalized)
Id = 50 mA
Id = 100 mA
Id = 150 mA
Id = 200 mA
Vds = 10V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PD57002-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57002-E_10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
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PD57002S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray