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參數(shù)資料
| 型號： | PD55015-PD55015S |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 120K |
| 代理商： | PD55015-PD55015S |
PD55015 - PD55015S
2/10
PD55015S
Frequency
MHz
Zin
Zdl
480
1.43 - j1.27
1.47 + j.65
500
1.62 - j1.05
1.49 + j.58
520
1.57 - j.91
1.35 +j.36
PIN CONNECTION
SOURCE
DRAIN
GATE
SC15200
ELECTRICAL SPECIFICATION
(T
CASE
= 25
0
C)
STATIC
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 28 V
1
μ
A
I
GSS
V
GS
= 20 V
V
DS
= 0 V
1
μ
A
V
GS(Q)
V
DS
= 10 V
I
D
= 150 mA
2.0
5.0
V
V
DS(ON)
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
0.8
V
g
FS
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
2.0
2.5
mho
C
ISS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 12.5 V
f = 1 MHz
89
pF
C
OSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 12.5 V
f = 1 MHz
60
pF
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 12.5 V
f = 1 MHz
6.5
pF
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
P
OUT
f = 500 MHz
V
DD
= 12.5 V
I
DQ
= 150 mA
15
W
G
PS
f = 500 MHz
V
DD
= 12.5 V
P
OUT
= 15 W
I
DQ
= 150 mA
13.5
dB
η
D
f = 500 MHz
V
DD
= 12.5 V
P
OUT
= 15 W
I
DQ
= 150 mA
50
%
LOAD
Mismatch
f = 500 MHz
ALL PHASE ANGLES
V
DD
= 15.5 V
P
OUT
= 15 W
I
DQ
= 150 mA
20:1
VSWR
PD55015
Frequency
MHz
Zin
Zdl
480
2.13 - j1.09
1.55 + j.34
500
1.95 - j.31
1.63 - j.25
520
1.83 - j.70
1.43 + j.30
D
S
Typical Input
Impedance
Zin
G
Z
DL
Typical Drain
Load Impedance
SC13140
IMPEDANCE DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57002 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57002S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57006 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57006S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD55015S | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55015S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55015STR | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 5.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55015STR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55015TR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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