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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C189 |
| 廠商： | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | HIGH SPEED 16 x 4 STATIC CMOS RAM WITH INVERTING OUTPUTS |
| 中文描述： | 高速16反相輸出× 4靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | P4C189 |
P4C189
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Document #
SRAM100
Rev OR
Notes:
9.
CS
and
WE
must be LOW for WRITE cycle.
10. If
CS
goes HIGH simultaneously with
WE
high, the output remains
in a high impedance state.
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2 (
CS
CONTROLLED)
(9)
11. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transition address.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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