參數(shù)資料
型號(hào)： P0120003P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 800mW的GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無(wú)鉛型）
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 623K
代理商： P0120003P
Application Circuit : 2110-2170MHz
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-7-
Technical Note
P0120003P
800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
C1
C5
R1
C2
L1
C3
L2
C4
RF in (Rs=50
)
RF out (RL=50
)
Vd
Vg
D.U.T
Z1
Z2
Z3
Z4
RF in
KP023J
RF out
Vd
(+6V)
Vg
(-0.7~-2V)
C3
R1
C2
C1
C5
L2
C4
L1
Ref. Des.
Value
Part Number
SUSUMU
RR0816 series
R1
82
C1
C2
C3
C4
C5
L1
L2
1pF
1pF
0.1μF
4pF
0.1μF
27nH
27nH
MURATA
GRM18 series
TOKO LL1608
series
Ref.
Designator
Z1
Z2
Z3
Z4
All microstrip lines have a line impedance of 50
.
Electrical length
@ 2.1GHz (deg)
4.08
13.61
8.62
6.38
1.9
2
2.1
2.2
2.3
Frequency (GHz)
-30
-20
-10
0
10
20
S11
S22
S12
S21
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120004P 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P0120004P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國(guó)線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長(zhǎng)度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
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