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PSMN4R0-30YL,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN4R0-30YL,115
    PSMN4R0-30YL,115

    PSMN4R0-30YL,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • NXP

  • SOT-669

  • 新年份

  • -

  • 一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

  • PSMN4R0-30YL,115
    PSMN4R0-30YL,115

    PSMN4R0-30YL,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN4R0-30YL,115
    PSMN4R0-30YL,115

    PSMN4R0-30YL,115

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Nexperia USA Inc.

  • MOSFET N-CH 30V 100A

  • 22+

  • -

  • PSMN4R0-30YL,115
    PSMN4R0-30YL,115

    PSMN4R0-30YL,115

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • NXP Semiconductors

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • PSMN4R0-30YL,115
    PSMN4R0-30YL,115

    PSMN4R0-30YL,115

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主營優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
PSMN4R0-30YL,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN4R0-30YL,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN4R0-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:84A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1407pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:61W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R9-60XSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:103nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5494pF @ 25V 功率 - 最大值:55W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN3R9-60PSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:103nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN3R9-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1524pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.15 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R8-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2085pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-100ES,127 PSMN5R0-100PS,127 PSMN5R0-100XS,127
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