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PSMN5R3-25MLDX

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT1210

  • 19+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
PSMN5R3-25MLDX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 70A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 12.7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 858pF @ 12V
  • FET 功能
  • 肖特基二極管（體）
  • 功率耗散（最大值）
  • 51W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 5.9 毫歐 @ 15A， 10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • LFPAK33
  • 封裝/外殼
  • SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PSMN5R3-25MLDX 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN5R2-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6319pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:195W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R0-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:101nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6793pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN5R0-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:101nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6793pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:91A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1760pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:61W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R0-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9900pF @ 50V 功率 - 最大值:63.8W 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX
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免責(zé)聲明：以上所展示的PSMN5R3-25MLDX信息由會(huì)員自行提供，PSMN5R3-25MLDX內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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