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PSMN4R8-100PSEQ

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PSMN4R8-100PSEQ
    PSMN4R8-100PSEQ

    PSMN4R8-100PSEQ

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 980

  • NXP SEMIC

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PSMN4R8-100PSEQ
    PSMN4R8-100PSEQ

    PSMN4R8-100PSEQ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PSMN4R8-100PSEQ
    PSMN4R8-100PSEQ

    PSMN4R8-100PSEQ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN4R8-100PSEQ
    PSMN4R8-100PSEQ

    PSMN4R8-100PSEQ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • PSMN4R8-100PSEQ
    PSMN4R8-100PSEQ

    PSMN4R8-100PSEQ

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 1899

  • NEXPERIA

  • NA

  • 近兩年

  • -
  • 查價(jià)格、訂購(gòu)可到京北通宇商城www.jb...

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PSMN4R8-100PSEQ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V TO220AB
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 120A(Tj)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 278nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 14400pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 405W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 5 毫歐 @ 25A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220AB
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
PSMN4R8-100PSEQ 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN4R8-100BSEJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tj) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):278nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):14400pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):405W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):70.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4426pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN4R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):70.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4426pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R6-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):153nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9900pF @ 50V 功率 - 最大值:63.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN4R5-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):42.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2683pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):148W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100XS,127 PSMN5R6-100YSFQ PSMN5R6-100YSFX PSMN5R6-60YLX PSMN5R8-30LL,115 PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ
配單專(zhuān)家

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