參數(shù)資料
型號： OPA659EVM
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 3/32頁
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描述： EVAL MODULE FOR OPA659
標準包裝： 1
每 IC 通道數(shù)： 1 - 單
放大器類型： J-FET
轉(zhuǎn)換速率： 2550 V/µs
-3db帶寬： 650MHz
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
電流供應（主 IC）： 32mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±3.5 V ~ 6.5 V
板類型： 完全填充
已供物品： 板
已用 IC / 零件： OPA659
其它名稱： 296-30974
OPA659EVM-ND
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
-
±
V
(V)
O
U
T
10
100
1000
R
( )
W
LOAD
V = 6.0V
G=+1V/V
R =249
S
F
W
±
V
Low
OUT
V
High
OUT
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
T
ransimpedanceGain
(dB
)
W
100k
1M
10M
100M
Frequency(Hz)
R =1M ,C =Open
F
W
R =1k ,C =4.7pF
F
W
R =10k ,C =Open
F
W
R =10k ,C =1.5pF
F
W
R =100k ,C =Open
F
W
R =100k ,
C =0.5pF
F
W
R =1k ,
C =Open
F
W
R =1M ,
C =0.25pF
W
F
3000
2000
1000
0
SlewRate(V/
s)
m
0
1
2
3
4
5
V
/V
(V)
OUT
STEP
V = 6.0V
G=+2V/V
R
=100
S
LOAD
W
±
6
Falling
SlewRate
Rising
SlewRate
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
TRANSIMPEDANCE GAIN
MAXIMUM/MINIMUM ±VOUT
vs FREQUENCY (CD = 100pF)
vs RLOAD
Figure 31.
Figure 32.
SLEW RATE
vs VOUT STEP
Figure 33.
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
11
Product Folder Link(s): OPA659
相關PDF資料
PDF描述
VI-B7Y-EY CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W
EBC08DRTS-S93 CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD
1-1589455-3 CONN PLUG 9POS 30AWG 9IN
VI-B7Y-EW CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
RCC05DRXS-S734 CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
OPA659IDBVR 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDBVT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBR 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8
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