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參數(shù)資料
| 型號： | OP501SRD |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 930NM PEAK WAVELENGTH | LED-2B |
| 中文描述： | 光電晶體管|叩| 930NM峰值波長|發(fā)光二極管- 2B衛(wèi)星 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | OP501SRD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP505A | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505B | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505C | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505D | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505W | NPN SILICON PHOTOTRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OP505A | 功能描述:光電晶體管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP505A | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:OPTICAL SENSOR PHOTODET |
| OP505B | 功能描述:光電晶體管 Narrow Rcvng Angle 935nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP505C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP505D | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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