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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | OP505D |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | OP505D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP505W | NPN SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| OP506A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506C | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506D | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OP505D | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:PHOTOSENSOR PHOTOTRANSISTOR OuTPuT IRR |
| OP505W | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506A | 功能描述:光電晶體管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506B | 功能描述:光電晶體管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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