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參數(shù)資料
| 型號： | NSTB1002DXV5T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual Common Base(雙通用基極-集電極偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 463B-01, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | NSTB1002DXV5T1 |
NSTB1002DXV5T1G, NSTB1002DXV5T5G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Q1 TRANSISTOR: PNP
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
V
(BR)CEO
40
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
40
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Base Cutoff Current
I
BL
50
nAdc
Collector Cutoff Current
I
CEX
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
DC Current Gain
(I
C
= 0.1 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
60
80
100
60
30
300
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.25
0.4
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.65
0.85
0.95
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
f
T
250
MHz
Output Capacitance
C
obo
4.5
pF
Input Capacitance
C
ibo
10.0
pF
Input Impedance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
ie
2.0
12
k
Voltage Feedback Ratio
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
re
0.1
10
X 10
4
SmallSignal Current Gain
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
fe
100
400
Output Admittance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
oe
3.0
60
mhos
Noise Figure
(V
CE
= 5.0 Vdc, I
C
= 100 Adc, R
S
= 1.0 k , f = 1.0 kHz)
nF
4.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, V
BE
= 0.5 Vdc)
t
d
35
ns
Rise Time
(I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
t
r
35
Storage Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
t
s
225
ns
Fall Time
(I
B1
= I
B2
= 1.0 mAdc)
t
f
75
Q2 TRANSISTOR: NPN
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
(V
CB
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA)
I
EBO
0.1
mAdc
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s; Duty Cycle
≤
2.0%.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NT6880H | Keyboard Controller |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NSTB1002DXV5T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSTB1002DXV5T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSTB1003DXV5T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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| NSTB1004DXV5T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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