參數(shù)資料
型號： NST30010MXV6T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Matched General Purpose Transistor(雙通用晶體管)
中文描述： 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, ULTRA SMALL, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： NST30010MXV6T1G
NST30010MXV6T1G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
55
°
C
25
°
C
150
°
C
Figure 1. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
Figure 2. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1.0
0.1
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
100
10
1.0
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
Figure 3. DC Current Gain vs. Collector
Current
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1.0
0.1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
100
10
1.0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Figure 5. Base Emitter TurnOn Voltage vs.
Collector Current
Figure 6. Saturation Region @ 25 C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
B
, BASE CURRENT (mA)
100
10
1.0
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
1.0
100
10
1.0
0.1
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
C
,
S
V
C
,
S
h
F
,
V
B
,
S
V
B
,
V
V
C
,
V
I
C
/I
B
= 10
55
°
C
25
°
C
150
°
C
3.0
I
C
/I
B
= 100
55
°
C
25
°
C
150
°
C
150
°
C (2.0 V)
150
°
C (5.0 V)
55
°
C (2.0 V)
55
°
C (5.0 V)
25
°
C (5.0 V)
25
°
C (2.0 V)
I
C
/I
B
= 10
0.7
0.8
0.9
V
CE
= 5.0 V
55
°
C
25
°
C
150
°
C
I
C
= 100 mA
50 mA
20 mA
10 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NST3904DP6T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT LESHAN DUAL NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3904DXV6T 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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NST3904DXV6T1/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
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