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參數(shù)資料
| 型號： | NP88N055KLE |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | NP88N055KLE |
Data Sheet D13933EJ7V0DS
6
NP88N055ELE, NP88N055KLE, NP88N055CLE, NP88N055DLE, NP88N055MLE, NP88N055NLE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
9
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
R
D
Ω
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
100000
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
0
50
2
1
4
3
6
5
0
50
100
150
I
D
= 44 A
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
8
7
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
GS
= 10 V
1.0
I
F
0
1.5
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
V
GS
= 10 V
0 V
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
0.1
1000
10000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
100
1000
10
100
C
oss
C
rss
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
C
iss
V
G
I
F
- Diode Forward Current - A
t
r
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
40
60
20
80
100
120
140 160
20
40
60
80
100
2
0
4
V
DS
1000
100
6
8
10
V
GS
V
DD
= 44 V
I
D
= 88 A
V
DD
= 28 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 1
Ω
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N055KLE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055KLE-E2-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055MLE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055MLE-S18-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055NLE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NP88N055KLE-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP88N055KLE-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055KUG-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP88N055KUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP88N055MHE | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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