參數(shù)資料
型號： NE651R479A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 0.4糯L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： NE651R479A
Data Sheet P13670EJ2V0DS00
4
NE651R479A
S-PARAMETERS
Test Conditions: V
DS
= 3.5 V, I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
Frequency
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
0.868
0.866
0.864
0.863
0.868
0.862
0.860
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0.861
0.862
0.857
0.855
0.856
0.860
0.860
0.863
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176.9
179.4
176.6
173.6
170.8
168.3
165.4
162.2
159.3
156.7
153.5
150.0
146.7
142.9
140.1
6.120
5.225
4.641
4.145
3.730
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3.152
2.894
2.695
2.527
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2.229
2.093
1.946
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1.785
96.9
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93.0
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87.5
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0.046
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0.045
0.045
0.045
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0.046
0.047
0.046
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0.045
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15.8
16.6
16.6
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16.1
17.0
17.1
17.0
16.6
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0.541
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0.533
0.533
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178.0
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173.4
171.9
170.1
167.8
165.9
163.8
161.1
158.4
156.0
154.0
149.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68000 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE651R479A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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