參數(shù)資料
型號： NE6510379A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 3瓦L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： NE6510379A
Preliminary Data Sheet
6
NE6510379A
RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS
This product should be soldered under the following recommended conditions. For soldering methods and
conditions other than those recommended below, contact your NEC sales representative.
Soldering Method
Soldering Conditions
Recommended
Condition Symbol
Infrared Reflow
Package peak temperature: 235°C or below
Time: 30 seconds or less (at 210°C)
Count: 2, Exposure limit
Note
: None
IR35-00-2
Partial Heating
Pin temperature: 260°C
Time: 5 seconds or less (per pin row)
Exposure limit
Note
: None
–
Note
After opening the dry pack, keep it in a place below 25°C and 65% RH for the allowable storage period.
Caution Do not use different soldering methods together (except for partial heating).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE651R479A 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68000 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE6510379A-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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