參數(shù)資料
型號： NAND512W3M5BZB5F
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 存儲器模塊
英文描述： 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
中文描述： 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節(jié)頁）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP
文件頁數(shù)： 14/23頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： NAND512W3M5BZB5F
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
14/23
Figure 5.
TFBGA149 Connections (Top view through package)
1.
Balls shaded in gray are only present for NAND + DDR devices delivered in the TFBGA149 package.
AI11007b
DQM1
KE
A11
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
G
F
E
DU
WP
A0
BA0
DQ6
CAS
WF
BA1
DU
VDDD
9
NC
A7
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ13
VSSF
I/O0
I/O7
DU
DU
VSSQD
DU
P
N
12
NC
RB
DQ2
NC
NC
EF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSD
I/O1
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
VSSD
DQ8
DU
DU
DU
DU
WD
NC
RAS
VDDF
NC
NC
NC
A10
DU
A8
DU
NC
DU
NC
VDDQD
NC
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
10
11
T
R
NC
DU
VSSD
VDDD
DU
NC
I/O6
I/O5
A6
A12
NC
NC
A2
A5
I/O4
NC
NC
A4
NC
VDDF
VSSF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O3
NC
DQ11
DQ14
DQ12
DQ9
VDDQD
VSSD
K
UDQS
I/O9
I/O8
I/O15
I/O14
I/O13
I/O10
I/O12
I/O11
LDQS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAS-xxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NASxxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NAS1581 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-10 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-3 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W4A0AZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays
NAND64GAH0HZA5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel
NAND64GW3FGAZN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel
NAND98R3M0CZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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