參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3A2CZA6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁(yè)數(shù)： 55/57頁(yè)
文件大?。?/td> 410K
代理商： NAND512R3A2CZA6T
55/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 44. Connection to Microcontroller, With Glue Logic
Figure 45. Building Storage Modules
RELATED DOCUMENTATION
STMicroelectronics has published a set of application notes to support the NAND Flash memories. They
are available from the ST Website www.st.com or from your local ST Distributor.
AI07589
R
W
I/O
E
AL
CL
CLK
D2
D1
D0
Q0
Q1
Q2
W
G
CSn
A3
A0
A1
A2
Microcontroller
NAND Flash
DQ
D flip-flop
AI08331
W
G
NAND Flash
Device 1
E
1
CL
AL
NAND Flash
Device 3
NAND Flash
Device 2
NAND Flash
Device n+1
NAND Flash
Device n
E
2
E
3
E
n
E
n+1
I/O0-I/O7 or
I/O0-I/O15
RB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R4A0CZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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NAND128W3A0CZB1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W4M5CZC5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND512R4M2CZB5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2SN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
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