參數(shù)資料
型號： NAND08GR4B3AZB6
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
文件頁數(shù)： 53/59頁
文件大?。?/td> 1154K
代理商： NAND08GR4B3AZB6
57/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
PART NUMBERING
Table 31. Ordering Information Scheme
Devices are shipped from the factory with the memory content bits, in valid blocks, erased to ’1’. For further
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Example:
NAND02GR3B
2
A ZA
1
T
Device Type
NAND Flash Memory
Density
512 = 512Mb
01G = 1Gb
02G = 2Gb
04G = 4Gb
08G = 8Gb
Operating Voltage
R = VDD = 1.7 to 1.95V
W = VDD = 2.7 to 3.6V
Bus Width
3 = x8
4 = x16
Family Identifier
B = 2112 Bytes/ 1056 Word Page
Device Options
2 = Chip Enable Don't Care Enabled
3 = Chip Enable Don't Care Enabled and Automatic Page 0 Read at Power-up
Product Version
A = First Version
B= Second Version
C= Third Version
Package
N = TSOP48 12 x 20mm (all devices)
V = USOP48 12 x 17 x 0.65mm (512Mb and 1Gb devices)
ZA = VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm, 0.8mm pitch (512Mb and 1Gb devices)
ZB = TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm, 0.8mm pitch (2Gb Dual Die devices)
ZC = LFBGA63 9.5 x 12 x 1.4mm, 0.8mm pitch (8Gb Quadruple Die devices)
Temperature Range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
blank = Standard Packing
T = Tape & Reel Packing
E = Lead Free Package, Standard Packing
F = Lead Free Package, Tape & Reel Packing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND256W4A2AZA6E 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55
NCP303LSN41T1 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5
NCS6416DWG 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20
NCS6S4803L5C 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
NCT050C-20.0000 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 20 MHz, TTL OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND08GW3B2AN6E 功能描述:閃存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2AN6F 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays
NAND08GW3B2CN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2CN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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