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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MW4IC2020D |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 582K |
| 代理商： | MW4IC2020D |
MW4IC2020MBR1 MW4IC2020GMBR1
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
2000
16
1800
32
40
0
IRL
G
ps
IMD
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Two-Tone Wideband Performance
I
I
I
I
V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 20 W (PEP)
I
DQ1
= 80 mA, I
DQ2
= 200 mA, I
DQ3
= 300 mA
100 kHz Tone Spacing
30
5
28
10
26
15
24
20
22
25
20
30
18
35
1850
1900
1950
100
80
10
0.1
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
I
I
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ1
= 80 mA, I
DQ2
= 200 mA, I
DQ3
= 300 mA
f = 1840 MHz, 100 kHz Tone Spacing
20
30
40
50
60
70
1
10
5th Order
3rd Order
100
80
10
0.1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
I
I
7th Order
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ1
= 80 mA, I
DQ2
= 200 mA, I
DQ3
= 300 mA
f = 1960 MHz, 100 kHz Tone Spacing
5th Order
3rd Order
1
10
20
30
40
50
60
70
100
23
35
0.1
0
36
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
Gp
33
30
31
24
29
18
27
12
25
6
1
10
25 C
85 C
T
C
= 30 C
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ1
= 80 mA, I
DQ2
= 200 mA, I
DQ3
= 300 mA
f = 1960 MHz (CW)
η
D
,
p
,
η
D
,
η
D
G
ps
10
23
35
0.1
0
18
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
Gp
1
33
15
31
12
29
9
27
6
25
3
T
C
= 30 C
85 C
30 C
25 C
85 C
25 C
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ1
= 80 mA
I
DQ2
= 240 mA, I
DQ3
= 250 mA
f = 1960 MHz, 1Carrier NCDMA
η
D
,
η
D
G
ps
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW4IC2020GMBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC2020MBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC915GMBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC915GNBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC915MBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MW4IC2020GMBR1 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 20W TO272-16GW RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW4IC2020GMBR5 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 20W TO272-16GW RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW4IC2020GNBR1 | 功能描述:射頻放大器 20W 26V EDGE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW4IC2020MBR1 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 20W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW4IC2020MBR5 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 20W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
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