參數(shù)資料
型號(hào)： MURD620CTTRPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： MURD620CTTRPBF
Document Number: 94084
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 01-Jul-09
3
MURD620CTPbF
Ultrafast Rectifier,
2 x 3 A FRED PtTM
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Typical Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
10
T
J = 175 °C
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
0
0.4
0.8
VF - Forward Voltage Drop (V)
I F
-
Instantaneous
Forwar
d
Current
(A)
100
1.2
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
0
100
150
VR - Reverse Voltage (V)
I R
-
Re
ver
se
Current
(A)
T
J = 175 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
200
50
0.001
100
1
10
100
1000
10
VR - Reverse Voltage (V)
C
T
-
J
unction
Capacitance
(pF)
T
J = 25 °C
0.01
0.1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-Thermal
Impedance
(°C/W)
.
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
1
Single pulse
(thermal resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
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PDF描述
MURD620CTTR 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURF1040 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MURS120-7 RECTIFIER DIODE
MURS140 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MURS320-E3/59T 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
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參數(shù)描述
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