參數資料
型號: MUN5131DW1T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數: 8/12頁
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代理商: MUN5131DW1T1
8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5115DW1T1
Figure 22. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
TA = 25
°
C
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5116DW1T1
Figure 23. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
TA = 25
°
C
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
相關PDF資料
PDF描述
MUN5132DW1T1 PC Board Fuse; Current Rating:400mA-10A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Size/Group:Subminiature; Fuse Type:Fast Acting; Interrupting Current Max:50A; Packaging:Bulk; Voltage Rating:125V RoHS Compliant: Yes
MUN5133DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5134DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5135DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5130DW1 Dual Bias Resistor Transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
MUN5131DW1T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5131T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5131T1 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MUN5131T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5131TIG 制造商:ON Semiconductor 功能描述: