參數(shù)資料
型號(hào)： MUN5131DW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： MUN5131DW1T1
11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 419B–01
ISSUE C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
V
MIN
0.071
0.045
0.031
0.004
0.026 BSC
–––
0.004
0.004
0.008 REF
0.079
0.012
MAX
0.087
0.053
0.043
0.012
MIN
1.80
1.15
0.80
0.10
0.65 BSC
–––
0.10
0.10
0.20 REF
2.00
0.30
MAX
2.20
1.35
1.10
0.30
MILLIMETERS
INCHES
0.10
0.25
0.30
0.004
0.010
0.012
2.20
0.40
0.087
0.016
B
0.2 (0.008)
M
M
1
2
3
A
G
V
S
H
C
N
J
K
6
5
4
–B–
D
6 PL
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MUN5133DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5134DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
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參數(shù)描述
MUN5131DW1T1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5131T1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5131T1 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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MUN5131TIG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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