參數(shù)資料
型號： MTY30N50
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM
中文描述： TMOS是30安培，功率場效應(yīng)晶體管500伏特的RDS（on）\u003d 0.15歐姆
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： MTY30N50
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
1
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
t, TIME (s)
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
r
(
0.1
0.05
0.02
0.01
3000
2500
1000
0
25
50
75
100
125
150
100
10
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
100
μ
s
1 ms
10 ms
dc
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
Figure 13. Thermal Response
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
ID = 30 A
SINGLE PULSE
2000
1500
500
10
μ
s
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTY30N50E TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM
MTY55N20E TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
MU82 8-input to 1-output digital multiplexer with 2x drive strength
MUN5111T1 EMITTER IR 880NM T0-18
MUN5134T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTY30N50E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MTY55N20E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
MTZ.0S.045.065 制造商:LEMO connectors 功能描述:
MTZ.1B.132.090 功能描述:環(huán)形推拉式連接器 RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產(chǎn)品類型:Connectors 系列:HR10 觸點類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點數(shù)量:4 外殼大小:7 安裝風(fēng)格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A
MTZ.2B.265.120 制造商:LEMO connectors 功能描述:
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