型號: | MTD2955V-1G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 7/10頁 |
文件大?。?/td> | 85K |
代理商: | MTD2955V-1G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MTD2955VG | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
MTD2955VT4 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
MTD2955VT4G | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
MTP | Wet Tantalum Capacitors Subminiature, Axial Leads |
MTP156K00691D | Wet Tantalum Capacitors Subminiature, Axial Leads |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MTD2955VG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK |
MTD2955VT4 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
MTD2955VT4G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK |
MTD2N20 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
MTD2N40E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 2A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |