參數(shù)資料
型號(hào)： MTD2955V-1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： MTD2955V-1G
MTD2955V
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
0.1
10
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
A
I
25
50
75
100
125
V
GS
= 15 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
I
D
= 12 A
1.0
150
1.0
100
0.1
0
75
25
10
dc
100 s
1 ms
10 ms
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
50
175
100
125
150
175
200
225
t, TIME (s)
r
T
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0
0.1
0.01
1.0E05
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD2955VG 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MTD2955VT4 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MTD2955VT4G 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MTP Wet Tantalum Capacitors Subminiature, Axial Leads
MTP156K00691D Wet Tantalum Capacitors Subminiature, Axial Leads
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MTD2955VT4 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTD2955VT4G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK
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MTD2N40E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 2A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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