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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48V4M32TG-8XT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
| 代理商： | MT48V4M32TG-8XT |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
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128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
39
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
7. Not bank-specific; requires that all banks are idle.
8. May or may not be bank-specific; if all banks are to be precharged, all must be in a valid state for precharging.
9. Not bank-specific; BURST TERMINATE affects the most recent READ or WRITE burst, regardless of bank.
10. READs or WRITEs listed in the Command (Action) column include READs or WRITEs with auto precharge enabled and
READs or WRITEs with auto precharge disabled.
11. Does not affect the state of the bank and acts as a NOP to that bank.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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