參數(shù)資料
型號： MRFE6S9125NBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WB-4, CASE-1484-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 17/18頁
文件大小： 594K
代理商： MRFE6S9125NBR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9125NR1 MRFE6S9125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
14
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
80
22
60
21
50
30
20
1
10
100
18
Gps
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
ηD
300
85
_C
20
19
40
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 24 V
280
16
21
0
200
17
40
19
18
20
IDQ = 950 mA
f = 880 MHz
28 V
32 V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device is
operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 27 W Avg., and ηD = 31%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools
(Software & Tools)/Calculators to access MTTF calculators by product.
107
106
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
17
70
25
_C
15
16
VDD = 28 Vdc
IDQ = 950 mA
f = 880 MHz
TC = 30_C
25
_C
85
_C
30
_C
80
120
160
240
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9125NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S9130HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9130HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9135HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9160HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S9125NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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