參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S9125NBR1
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WB-4, CASE-1484-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 15/18頁(yè)
文件大小： 594K
代理商： MRFE6S9125NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9125NR1 MRFE6S9125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
980
820
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 27 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
70
40
20
40
50
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%
)
VDD = 28 Vdc, Pout = 27 W (Avg.)
IDQ = 950 mA, NCDMA IS95
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
60
30
21
20
18
16
15
14
17
19
ALT1
840
IRL
ηD
0
5
10
15
20
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
980
820
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 62.5 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
60
40
30
40
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%
)
VDD = 28 Vdc, Pout = 62.5 W (Avg.)
IDQ = 950 mA, NCDMA IS95
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
50
30
50
20
18
16
15
13
17
19
ALT1
840
IRL
ηD
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
16
1
IDQ = 1475 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
22
19
17
10
300
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
475 mA
20
18
1187 mA
712 mA
950 mA
VDD = 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
20
1
IDQ = 475 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
40
50
10
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
10
712 mA
300
60
VDD = 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
1425 mA
950 mA
14
21
1187 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9125NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S9130HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9130HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9135HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9160HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S9125NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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