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參數資料
| 型號： | MRFE6S9045NR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN |
| 文件頁數： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 569K |
| 代理商： | MRFE6S9045NR1 |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9045NR1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9046NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6S9060NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
| MRFE6S9125NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRFE6S9125NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRFE6S9130HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET |
| MRFE6S9046GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S9046NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S9060GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO 270-2GN FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S9060NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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