參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S9045NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/15頁(yè)
文件大?。?/td> 569K
代理商： MRFE6S9045NR1
MRFE6S9045NR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
80
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
200
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
50
60
VDD = 28 Vdc, IDQ = 350 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
0
IM7L
TWOTONE SPACING (MHz)
10
20
30
40
50
60
1
100
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
VDD = 28 Vdc, Pout = 48 W (PEP), IDQ = 350 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
33
56
P6dB = 49.21 dBm (83.36 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 350 mA, Pulsed CW
12
μsec(on), 1% Duty Cycle, f = 880 MHz
54
52
50
46
24
26
25
28
27
31
29
Actual
Ideal
55
51
53
49
30
32
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
48
47
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
75
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
70
5
50
25
40
45
30
55
10
110
65
20
ALT1
ηD
Gps
TC = 30_C
ACPR
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 350 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
AL
T1,
CHANNEL
POWER
(dBc)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
25
_C
100
70
100
IM5L
IM5U
IM3U
IM3L
70
IM7U
34
P3dB = 48.40 dBm (69.18 W)
P1dB = 47.38 dBm
(54.7 W)
65
60
55
45
35
25
15
5
20
30
35
40
50
60
70
30
_C
85
_C
25
_C
15
10
85
_C
25
_C
30
_C
30
_C
85
_C
25
_C
85
_C
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PDF描述
MRFE6S9046NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRFE6S9125NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRFE6S9046GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRFE6S9060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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