參數(shù)資料
型號： MRF9030S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 360C-05, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： MRF9030S
MRF9030MR1
5.2–140
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
Gps
960
12
20
930
-38
50
IRL
η
IMD
VDD = 26 Vdc
Pout = 30 W (PEP)
IDQ = 250 mA
Two-Tone, 100 kHz Tone Spacing
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
-10
-18
-14
,DRAINh
EFFICIENCY
(%)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
-12
-16
19
45
18
40
17
35
16
-30
15
-32
14
-34
13
-36
955
950
945
940
935
100
17
20
0.1
IDQ = 375 mA
300 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
19.5
19
18.5
18
17.5
10
1
250 mA
200 mA
100
-55
-15
0.1
IDQ = 200 mA
375 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
10
1
250 mA
300 mA
100
-80
-10
0.1
7th Order
VDD = 26 Vdc
IDQ = 250 mA
f1 = 945 MHz, f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
1
5th Order
3rd Order
100
10
22
0.1
0
60
Gps
η
VDD = 26 Vdc
IDQ = 250 mA
f = 945 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
20
50
18
40
16
30
14
20
12
10
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9045MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF9045MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF9045NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF9045NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF9060LR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9030SR1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF904 功能描述:TRANS NPN 15V 30MA TO-72 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF9045 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045GMR1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9045GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 45W 945MHZ LDMOS TO270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*