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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S7170NR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, OM-780-2, CASE 2021-03, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 450K |
| 代理商： | MRF8S7170NR3 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S7170NR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQ = 1200 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
54
53
50
38
Actual
Ideal
49
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
56
59
60
34
31
42
32
39
41
748 MHz
58
57
55
52
51
33
35
37
40
728 MHz
768 MHz
748 MHz
728 MHz
768 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
728
229
53.6
310
54.9
748
227
53.5
303
54.8
768
214
53.3
293
54.6
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
728
P1dB
0.61 -- j2.32
0.72 -- j1.32
748
P1dB
0.73 -- j2.60
0.81 -- j1.27
768
P1dB
0.72 -- j2.82
0.58 -- j1.46
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S8260HSR5 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9120NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9202NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF8S8260H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF8S8260HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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